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NE5517DR2G
IC

SOIC-16

可供量大可议

NE5517DR2G

包含两个电流控制跨导放大器, 每个放大器都有差分输入和推挽输出。 与类似器件相比, 在各种可编程增益应用中具有显著的设计和性能优势。 通过在输入处使用线性化二极管增强了电路性能, 可使参考 0.5% THD 的信噪比提高 10 dB。 适用于各种工业和消费应用。 芯片上缓冲器的恒定阻抗允许其广泛使用。 这些缓冲器由达林顿晶体管和偏置网络组成, 几乎消除了由于偏置电流 IABC 突发而导致的失调电压变化, 从而消除了在高品质音频应用中可能听到的可听噪声。

品牌

onsemi

封装

SOIC-16

库存

74

货期

现货

NE5517DR2G参数

封装SOIC-16
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类特殊功能放大器
库存74

NE5517DR2G概述

包含两个电流控制跨导放大器, 每个放大器都有差分输入和推挽输出。 与类似器件相比, 在各种可编程增益应用中具有显著的设计和性能优势。 通过在输入处使用线性化二极管增强了电路性能, 可使参考 0.5% THD 的信噪比提高 10 dB。 适用于各种工业和消费应用。 芯片上缓冲器的恒定阻抗允许其广泛使用。 这些缓冲器由达林顿晶体管和偏置网络组成, 几乎消除了由于偏置电流 IABC 突发而导致的失调电压变化, 从而消除了在高品质音频应用中可能听到的可听噪声。

NE5517DR2G特性

暂无产品特性。

NE5517DR2G应用领域

暂无应用领域。

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