NE5517DR2G
IC
SOIC-16
可供量大可议
NE5517DR2G
包含两个电流控制跨导放大器, 每个放大器都有差分输入和推挽输出。 与类似器件相比, 在各种可编程增益应用中具有显著的设计和性能优势。 通过在输入处使用线性化二极管增强了电路性能, 可使参考 0.5% THD 的信噪比提高 10 dB。 适用于各种工业和消费应用。 芯片上缓冲器的恒定阻抗允许其广泛使用。 这些缓冲器由达林顿晶体管和偏置网络组成, 几乎消除了由于偏置电流 IABC 突发而导致的失调电压变化, 从而消除了在高品质音频应用中可能听到的可听噪声。
品牌
onsemi
封装
SOIC-16
库存
74
货期
现货
NE5517DR2G参数
| 封装 | SOIC-16 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 特殊功能放大器 |
|---|---|
| 库存 | 74 |
NE5517DR2G概述
包含两个电流控制跨导放大器, 每个放大器都有差分输入和推挽输出。 与类似器件相比, 在各种可编程增益应用中具有显著的设计和性能优势。 通过在输入处使用线性化二极管增强了电路性能, 可使参考 0.5% THD 的信噪比提高 10 dB。 适用于各种工业和消费应用。 芯片上缓冲器的恒定阻抗允许其广泛使用。 这些缓冲器由达林顿晶体管和偏置网络组成, 几乎消除了由于偏置电流 IABC 突发而导致的失调电压变化, 从而消除了在高品质音频应用中可能听到的可听噪声。
NE5517DR2G特性
暂无产品特性。
NE5517DR2G应用领域
暂无应用领域。
