NE3R5T3G
自营可供
IC
DFN-8(5x6)
NE3R5T3G
SGT2工艺/N管/60V/120A/3.5MΩ/(典型2.6MΩ)
品牌
DOINGTER
封装
DFN-8(5x6)
交期
现货
批次
—
NE3R5T3G参数
| 封装 | DFN-8(5x6) |
|---|---|
| 品牌 | DOINGTER(杜因特) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 96W |
| 栅极电荷量(Qg) | 45nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 42pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NE3R5T3G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2821 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.6mΩ@-0V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 1.176nF |
| 商品名称 | NE3R5T3G |
| 封装 | DFN5x6-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000252038 |
NE3R5T3G概述
SGT2工艺/N管/60V/120A/3.5MΩ/(典型2.6MΩ)