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NDT3055L
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IC

SOT-223

NDT3055L

N

品牌

ON

封装

SOT-223

交期

现货

批次

两年内

NDT3055L参数

封装SOT-223
品牌ON(安森美)
批次两年内
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))100mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))3V
输入电容(Ciss)530pF
工作温度-55℃~+150℃
输出电容(Coss)70pF
商品名称耐压:60V 电流:4A
包装方式编带
商品类型场效应管(MOSFET)
分类场效应管(MOSFET)
库存8
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)3W
栅极电荷量(Qg)17nC
反向传输电容(Crss)50pF
类型N沟道
栅极电压(Vgs)±20V
商品型号NDT3055L
单位个
商品重量0.00022536

NDT3055L概述

N

NDT3055L特性

  • 60V、4A, VGS = 10 V 时, RDS(ON) = 85 mΩ
  • VGS = 4.5 V 时, RDS(ON) = 100 mΩ
  • 采用高密单元设计, 实现极低的 RDS(ON)
  • 坚固可靠
  • 提供无铅产品
  • SOT
  • 223 封装

NDT3055L应用领域

  • 负载/电源开关
  • 接口开关
  • 逻辑电平转换

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