NDT014L

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。 此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。 此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用， 如直流电机控制和 DC/DC 转换。