NDT014
IC
SOT-223-4
可供量大可议
NDT014
功率 SOT N 沟道增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属技术生产。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 可提供卓越的开关性能。 此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用， 如直流电机控制和 DC/DC 转换。
品牌
onsemi
封装
SOT-223-4
库存
100
货期
现货
NDT014参数
| 封装 | SOT-223-4 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 3W |
| 工作温度 | -65℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 60pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:2.7A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 180mΩ@10V |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC@10V |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NDT014 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000204 |
NDT014概述
Power SOT N沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的高单元密度DMOS技术制造。 这种超高密度工艺专门用于最小化导通电阻并提供卓越的开关性能。 这些器件特别适用于低压应用, 如直流电机控制和DC/DC转换, 这些应用需要快速开关、低线路功率损耗和抗瞬态能力。
NDT014特性
- 2.7A、60V, VGS = 10V时, RDS(ON) = 0.2Ω
- 高密度单元设计, 实现极低的RDS(ON)
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
NDT014应用领域
- 开关模式电源
- 有源功率因数校正（PFC）
- 电子灯镇流器