NDS9435A-HXY

本款P沟道场效应管（MOSFET）具有30V的漏源耐压（VDSS）， 可承载连续漏极电流（ID）达5.8A， 导通电阻（RDON）低至43毫欧。 该器件适用于各类中功率电源管理场合， 如DC-DC转换器、负载开关和电源分配系统， 提供高效、稳定的性能支持。