NDS7002A
自营可供
IC
SOT-23-3L
NDS7002A
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 280mA 1个N沟道
品牌
ON
封装
SOT-23-3L
交期
现货
批次
两年内
NDS7002A参数
| 封装 | SOT-23-3L |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 27pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 18pF |
| 商品名称 | 耐压:60V 电流:0.3A |
| 封装 | SOT-23 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3.1787e-05 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 10,861 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NDS7002A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NDS7002A概述
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 280mA 1个N沟道
NDS7002A特性
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级典型值 >6 kV
- 高性能沟槽技术， 实现极低的 RDS(ON)
- VDS(V) = 100 V
- ID = 4.2 A（VGS = 10 V）
- RDS(ON) < 104 mΩ（VGS = 10 V）
- RDS(ON) < 156 mΩ（VGS = 4.5 V）
- 屏蔽栅 MOSFET 技术
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
NDS7002A应用领域
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器