NDS356AP-HXY
IC
SOT-23
可供量大可议
NDS356AP-HXY
NDS356AP MOS管是一款高性能P沟道MOSFET, 采用节省空间的SOT-23封装, 专为高密度电路设计。 器件在30V的额定电压下运行稳定, 可承载最大4.1A的连续电流, 凭借其卓越的48mΩ导通电阻, 有效降低了系统能耗, 提升了整体效率。 广泛适用于电源控制、负载开关以及电池管理系统等多种场合, 是打造高效能、低功耗电子产品的理想之选。
品牌
HXY MOSFET
封装
SOT-23
库存
2,315
货期
现货
NDS356AP-HXY参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2315 |
NDS356AP-HXY概述
NDS356AP MOS管是一款高性能P沟道MOSFET, 采用节省空间的SOT-23封装, 专为高密度电路设计。 器件在30V的额定电压下运行稳定, 可承载最大4.1A的连续电流, 凭借其卓越的48mΩ导通电阻, 有效降低了系统能耗, 提升了整体效率。 广泛适用于电源控制、负载开关以及电池管理系统等多种场合, 是打造高效能、低功耗电子产品的理想之选。
NDS356AP-HXY特性
暂无产品特性。
NDS356AP-HXY应用领域
暂无应用领域。
