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NDS356AP-HXY
IC

SOT-23

可供量大可议

NDS356AP-HXY

NDS356AP MOS管是一款高性能P沟道MOSFET, 采用节省空间的SOT-23封装, 专为高密度电路设计。 器件在30V的额定电压下运行稳定, 可承载最大4.1A的连续电流, 凭借其卓越的48mΩ导通电阻, 有效降低了系统能耗, 提升了整体效率。 广泛适用于电源控制、负载开关以及电池管理系统等多种场合, 是打造高效能、低功耗电子产品的理想之选。

品牌

HXY MOSFET

封装

SOT-23

库存

2,315

货期

现货

NDS356AP-HXY参数

封装SOT-23
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 5
分类场效应管(MOSFET)
库存2315

NDS356AP-HXY概述

NDS356AP MOS管是一款高性能P沟道MOSFET, 采用节省空间的SOT-23封装, 专为高密度电路设计。 器件在30V的额定电压下运行稳定, 可承载最大4.1A的连续电流, 凭借其卓越的48mΩ导通电阻, 有效降低了系统能耗, 提升了整体效率。 广泛适用于电源控制、负载开关以及电池管理系统等多种场合, 是打造高效能、低功耗电子产品的理想之选。

NDS356AP-HXY特性

暂无产品特性。

NDS356AP-HXY应用领域

暂无应用领域。

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