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NDS331N
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IC

SOT-23

NDS331N

场效应管(MOSFET) NDS331N

品牌

TECH PUBLIC

封装

SOT-23

交期

现货

批次

26+

NDS331N参数

封装SOT-23
品牌TECH PUBLIC(台舟电子)
批次26+
数量1个N沟道
导通电阻(RDS(on))25mΩ@4.5V
阈值电压(Vgs(th))1V
输入电容(Ciss)300pF
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存9,338
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)20V
耗散功率(Pd)1W
栅极电荷量(Qg)4nC@10V
反向传输电容(Crss)80pF
输出电容(Coss)120pF

NDS331N概述

场效应管(MOSFET) NDS331N

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