NDS331N-JSM
IC
SOT-23
可供量大可议
NDS331N-JSM
N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。
Brand
JSMSEMI
Package
SOT-23
Stock
2,020
货期
现货
NDS331N-JSMParameters
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | JSMSEMI(杰盛微) |
| MOQ / SPQ | 1 / 10 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2020 |
NDS331N-JSM概述
N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。 这种极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻。
NDS331N-JSM特性
暂无产品特性。
NDS331N-JSM应用领域
暂无应用领域。