NDS0610
自营可供
IC
SOT-23
NDS0610
场效应管(MOSFET) 360mW 60V 120mA 1个P沟道
品牌
ON
封装
SOT-23
交期
现货
批次
26+
NDS0610参数
| 封装 | SOT-23 |
|---|---|
| 品牌 | ON(安森美) |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 10Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.7V |
| 输入电容(Ciss) | 79pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 10pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:60V 电流:0.12A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30,596 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 360mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.5nC |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NDS0610 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 3e-05 |
NDS0610概述
场效应管(MOSFET) 360mW 60V 120mA 1个P沟道
NDS0610特性
- 0.12A, -60V。 VGS = -10V时, RDS(ON) = 10Ω
- VGS = -4.5V时, RDS(ON) = 20Ω
- 电压控制P沟道小信号开关
- 用于低RDS(ON)的高密度单元设计
- 高饱和电流
- SOT-23