NDS0610-HXY

NDS0610 P沟道MOSFET采用流行的SOT-23封装形式， 针对空间受限和高效率电路设计。 该器件具有60V的漏源击穿电压(VDSS)， 能在160mR(RD(on))的低导通电阻下， 稳定地处理2A的漏极电流(ID)。 适用于电池保护、电源切换和负载驱动等应用场合， 这款MOS管以强大的电压承载能力和精确的电流控制优势， 助力提升您的电路性能与可靠性。