NDS0605

此 P 沟道增强型电场效应晶体管是使用 Fairchild 的高单元密度 DMOS 专属技术生产的。 这种极高密度工艺可最大程度地降低导通电阻， 提供了坚固可靠的性能和快速的开关。 NDS0605 可用于最高要求 0.18A DC 的大多数应用， 可以提供高达 1 A 的脉冲电流， 且工作量极小。 此产品尤其适用于需要低电流高压侧开关的低压应用。