NDP7060-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
NDP7060-HXY
该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培, 漏源击穿电压达60伏, 导通电阻仅11毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动电路及电池管理系统中的功率切换环节, 能有效提升能量转换效率并降低热设计难度。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
25
货期
现货
NDP7060-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 25 |
NDP7060-HXY概述
该N沟道场效应管最大漏极电流为60安培, 漏源击穿电压达60伏, 导通电阻仅11毫欧, 栅源电压耐受值为20伏。 凭借低导通损耗与高电流承载能力, 适用于大电流开关电源、电机驱动电路及电池管理系统中的功率切换环节, 能有效提升能量转换效率并降低热设计难度。
NDP7060-HXY特性
暂无产品特性。
NDP7060-HXY应用领域
暂无应用领域。
