NDP6060L-HXY
IC
TO-220C
可供量大可议
NDP6060L-HXY
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源耐压达20V, 支持60A连续漏极电流, 导通电阻典型值为17mΩ。 此参数组合在中等电流应用中实现了损耗与成本的平衡。 器件适用于服务器电源、通信设备供电及电动工具驱动等场景, 能够在大电流开关过程中保持稳定的导通特性, 确保功率转换系统的高效运行。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-220C
库存
129
货期
现货
NDP6060L-HXY参数
| 封装 | TO-220C |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 129 |
NDP6060L-HXY概述
该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源耐压达20V, 支持60A连续漏极电流, 导通电阻典型值为17mΩ。 此参数组合在中等电流应用中实现了损耗与成本的平衡。 器件适用于服务器电源、通信设备供电及电动工具驱动等场景, 能够在大电流开关过程中保持稳定的导通特性, 确保功率转换系统的高效运行。
NDP6060L-HXY特性
暂无产品特性。
NDP6060L-HXY应用领域
暂无应用领域。
