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NDP6060L-HXY
IC

TO-220C

可供量大可议

NDP6060L-HXY

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源耐压达20V, 支持60A连续漏极电流, 导通电阻典型值为17mΩ。 此参数组合在中等电流应用中实现了损耗与成本的平衡。 器件适用于服务器电源、通信设备供电及电动工具驱动等场景, 能够在大电流开关过程中保持稳定的导通特性, 确保功率转换系统的高效运行。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-220C

库存

129

货期

现货

NDP6060L-HXY参数

封装TO-220C
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存129

NDP6060L-HXY概述

该N沟道场效应管漏源击穿电压为60V, 栅源耐压达20V, 支持60A连续漏极电流, 导通电阻典型值为17mΩ。 此参数组合在中等电流应用中实现了损耗与成本的平衡。 器件适用于服务器电源、通信设备供电及电动工具驱动等场景, 能够在大电流开关过程中保持稳定的导通特性, 确保功率转换系统的高效运行。

NDP6060L-HXY特性

暂无产品特性。

NDP6060L-HXY应用领域

暂无应用领域。

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