NDD05N50ZT4G-HXY

该N沟道MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为500V， 连续漏极电流（ID）为5A， 导通电阻（RDS(ON)）为1300mΩ。 器件在高耐压条件下提供稳定的开关性能， 适用于对电压裕量要求较高的中小功率电子电路。 典型应用场景包括开关电源、LED驱动、家用电器控制模块以及各类需要高侧或低侧开关功能的电子装置。 其参数组合兼顾了耐压能力与导通特性， 适合在有限散热条件下实现可靠运行。