NDBA180N10BT4H-HXY
IC
TO-263
可供量大可议
NDBA180N10BT4H-HXY
该N沟道场效应管具备260A的持续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源耐压值为20V。 极低的导通损耗使其在大电流应用中表现优异, 适用于高密度服务器电源、储能逆变器及大功率电机驱动系统, 能够显著降低传导损耗并优化整体散热设计。
品牌
HXY MOSFET
封装
TO-263
库存
279
货期
现货
NDBA180N10BT4H-HXY参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | HXY MOSFET(华轩阳电子) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 279 |
NDBA180N10BT4H-HXY概述
该N沟道场效应管具备260A的持续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源耐压值为20V。 极低的导通损耗使其在大电流应用中表现优异, 适用于高密度服务器电源、储能逆变器及大功率电机驱动系统, 能够显著降低传导损耗并优化整体散热设计。
NDBA180N10BT4H-HXY特性
暂无产品特性。
NDBA180N10BT4H-HXY应用领域
暂无应用领域。
