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NDBA180N10BT4H-HXY
IC

TO-263

可供量大可议

NDBA180N10BT4H-HXY

该N沟道场效应管具备260A的持续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源耐压值为20V。 极低的导通损耗使其在大电流应用中表现优异, 适用于高密度服务器电源、储能逆变器及大功率电机驱动系统, 能够显著降低传导损耗并优化整体散热设计。

品牌

HXY MOSFET

封装

TO-263

库存

279

货期

现货

NDBA180N10BT4H-HXY参数

封装TO-263
品牌HXY MOSFET(华轩阳电子)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存279

NDBA180N10BT4H-HXY概述

该N沟道场效应管具备260A的持续漏极电流承载能力, 漏源击穿电压为100V, 导通电阻低至2.4毫欧, 栅源耐压值为20V。 极低的导通损耗使其在大电流应用中表现优异, 适用于高密度服务器电源、储能逆变器及大功率电机驱动系统, 能够显著降低传导损耗并优化整体散热设计。

NDBA180N10BT4H-HXY特性

暂无产品特性。

NDBA180N10BT4H-HXY应用领域

暂无应用领域。

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