NDB5060L

此类 N 沟道逻辑电平增强型电场效应晶体管使用安森美半导体的高单元密度 DMOS 专属工艺生产。 此极高密度工艺特别适用于最大程度降低导通电阻， 提供卓越的开关性能， 可承受雪崩和换相模式下的高能量脉冲。 此类器件尤其适用于需要快速开关、线内低功率损耗和瞬变防止的低压应用， 如汽车、DC/DC 转换器、PWM 电机控制和其他电池供电电路。