NCV8130BMX080TCG
IC
XDFN-6(1.2x1.2)
可供量大可议
NCV8130BMX080TCG
配备NMOS传输晶体管和独立偏置电源电压 (VBIAS) 的300 mA VLDO。 该器件提供非常稳定、准确的低噪声输出电压, 适用于空间受限、对噪声敏感的应用。 为了优化电池供电的便携式应用的性能, 该器件具有低IQ消耗。 XDFN6 1.2 mm x 1.2 mm封装针对空间受限的应用进行了优化。
品牌
onsemi
封装
XDFN-6(1.2x1.2)
库存
80
货期
现货
NCV8130BMX080TCG参数
| 封装 | XDFN-6(1.2x1.2) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 线性稳压器(LDO) |
|---|---|
| 库存 | 80 |
NCV8130BMX080TCG概述
配备NMOS传输晶体管和独立偏置电源电压 (VBIAS) 的300 mA VLDO。 该器件提供非常稳定、准确的低噪声输出电压, 适用于空间受限、对噪声敏感的应用。 为了优化电池供电的便携式应用的性能, 该器件具有低IQ消耗。 XDFN6 1.2 mm x 1.2 mm封装针对空间受限的应用进行了优化。
NCV8130BMX080TCG特性
暂无产品特性。
NCV8130BMX080TCG应用领域
暂无应用领域。
