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NCV8130BMX080TCG
IC

XDFN-6(1.2x1.2)

可供量大可议

NCV8130BMX080TCG

配备NMOS传输晶体管和独立偏置电源电压 (VBIAS) 的300 mA VLDO。 该器件提供非常稳定、准确的低噪声输出电压, 适用于空间受限、对噪声敏感的应用。 为了优化电池供电的便携式应用的性能, 该器件具有低IQ消耗。 XDFN6 1.2 mm x 1.2 mm封装针对空间受限的应用进行了优化。

品牌

onsemi

封装

XDFN-6(1.2x1.2)

库存

80

货期

现货

NCV8130BMX080TCG参数

封装XDFN-6(1.2x1.2)
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 5
分类线性稳压器(LDO)
库存80

NCV8130BMX080TCG概述

配备NMOS传输晶体管和独立偏置电源电压 (VBIAS) 的300 mA VLDO。 该器件提供非常稳定、准确的低噪声输出电压, 适用于空间受限、对噪声敏感的应用。 为了优化电池供电的便携式应用的性能, 该器件具有低IQ消耗。 XDFN6 1.2 mm x 1.2 mm封装针对空间受限的应用进行了优化。

NCV8130BMX080TCG特性

暂无产品特性。

NCV8130BMX080TCG应用领域

暂无应用领域。

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