NCV57090ADWR2G
IC
SOIC-8-300mil
可供量大可议
NCV57090ADWR2G
NCx57090y、NCx57091y是高电流单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器, 具备5 kVrms内部电流隔离功能, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 根据引脚配置, 为系统设计提供便利选项, 如有源米勒钳位(A/D/F版本)、负电源(B版本)以及独立的高低(OUTH和OUTL)驱动器输出(C/E版本)。 驱动器可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用宽体SOIC - 8封装。
品牌
onsemi
封装
SOIC-8-300mil
库存
33
货期
现货
NCV57090ADWR2G参数
| 封装 | SOIC-8-300mil |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 隔离式栅极驱动器 |
|---|---|
| 库存 | 33 |
NCV57090ADWR2G概述
NCx57090y、NCx57091y是高电流单通道IGBT/MOSFET栅极驱动器, 具备5 kVrms内部电流隔离功能, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 根据引脚配置, 为系统设计提供便利选项, 如有源米勒钳位(A/D/F版本)、负电源(B版本)以及独立的高低(OUTH和OUTL)驱动器输出(C/E版本)。 驱动器可适应3.3 V至20 V的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用宽体SOIC - 8封装。
NCV57090ADWR2G特性
暂无产品特性。
NCV57090ADWR2G应用领域
暂无应用领域。
