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NCV57080CDR2G
IC

SOIC-8

可供量大可议

NCV57080CDR2G

NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器, 具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 并根据引脚配置, 为系统设计提供便利选项, 如有源米勒钳位(A 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C 版本)。 该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用窄体 SOIC - 8 封装。

品牌

onsemi

封装

SOIC-8

库存

18

货期

现货

NCV57080CDR2G参数

封装SOIC-8
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类隔离式栅极驱动器
库存18

NCV57080CDR2G概述

NCx57080y、NCx57081y 是高电流单通道 IGBT/MOSFET 栅极驱动器, 具备 3.75 kVrms 的内部电流隔离, 专为高功率应用中的高系统效率和可靠性而设计。 这些器件接受互补输入, 并根据引脚配置, 为系统设计提供便利选项, 如有源米勒钳位(A 版本)、负电源(B 版本)以及独立的高低(OUTH 和 OUTL)驱动器输出(C 版本)。 该驱动器可适应 3.3 V 至 20 V 的宽范围输入偏置电压和信号电平, 采用窄体 SOIC - 8 封装。

NCV57080CDR2G特性

暂无产品特性。

NCV57080CDR2G应用领域

暂无应用领域。

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