NCV4333DR2G
自营可供
IC
SOIC-14
NCV4333DR2G
NCV4333DR2G
品牌
onsemi
封装
SOIC-14
交期
现货
批次
—
NCV4333DR2G参数
| 封装 | SOIC-14 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 单电源电压 | 1.8V~5.5V |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 95nV/℃ |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 共模抑制比(CMRR) | 123dB |
| 输入偏置电流(Ib) | 60pA |
| 输出电流 | 5mA |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 商品名称 | NCV4333DR2G |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 精密运放 |
| 分类 | 精密运放 |
|---|---|
| 库存 | 50 |
| 放大器数 | 四路 |
| 输入失调电压(Vos) | 6uV |
| 增益带宽积(GBW) | 350kHz |
| 压摆率(SR) | 0.15V/us |
| 输入电压噪声密度(eN) | 62nV/√Hz@1kHz |
| 静态电流(Iq) | 21uA |
| 输入失调电流(Ios) | 50pA |
| 功能特性 | EMI滤波/RF抑制； 零漂移/自动稳零 |
| 商品型号 | NCV4333DR2G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000176 |
NCV4333DR2G概述
NCS333/2333/4333系列零漂移运算放大器在1.8 V至5.5 V电源电压范围内， 失调电压低至10 μV。 零漂移架构将失调漂移降至低至0.07 μV/°C， 可在时间和温度变化时实现高精度测量。 该系列在宽动态范围内具有低功耗特性， 并提供节省空间的封装。 这些特性使其非常适合便携式、工业、汽车、医疗和消费市场的信号调理电路。
NCV4333DR2G特性
- 增益带宽积：
- 270 kHz（NCx2333）
- 350 kHz（NCx333、NCx333A、NCx4333）
- 低电源电流：17 μA（3.3 V时典型值）
- 低失调电压：
- NCS333、NCS333A最大10 μV
- NCV333A、NCx2333和NCx4333最大30 μV
- 低失调漂移：NCS333/A最大0.07 μV/°C
- 宽电源范围：1.8 V至5.5 V
- 宽温度范围：-40°C至+125°C
- 轨到轨输入和输出
- 提供单通道、双通道和四通道封装
- 带有NCV前缀， 适用于汽车及其他有独特场地和控制变更要求的应用
- 符合AEC
- Q100标准且具备生产件批准程序（PPAP）能力
NCV4333DR2G应用领域
- 汽车
- 电池供电/便携式应用
- 传感器信号调理
- 低电压电流检测
- 滤波电路
- 电桥电路
- 医疗仪器