NCV330MUTBG
IC
UDFN-4-EP(1.2x1.6)
可供量大可议
NCV330MUTBG
NCV330MUTBG
品牌
onsemi
封装
UDFN-4-EP(1.2x1.6)
库存
178
货期
现货
NCV330MUTBG参数
| 封装 | UDFN-4-EP(1.2x1.6) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 输入控制逻辑 | 高电平有效 |
| 最大连续电流 | 3A |
| 功能特性 | 软启动; 反向电压保护; 锁存保护 |
| 商品名称 | NCV330MUTBG |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 功率电子开关 |
| 分类 | 功率电子开关 |
|---|---|
| 库存 | 178 |
| 类型 | 高侧开关 |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V |
| 导通电阻 | 26mΩ |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
| 商品型号 | NCV330MUTBG |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000494 |
NCV330MUTBG概述
NCP330是一款低导通电阻的N沟道MOSFET, 专为移动应用设计, 具有2毫秒软启动序列。 极低的RDS(on)允许系统供电或电池充电达到直流3A。 如果Vin引脚连接到电源(高电平有效), 则该设备会自动启用; 如果没有Vin(内部下拉), 则保持关闭状态。 由于对电流消耗进行了优化, 从连接到设备的电池流出的漏电流显著减少, 从而延长了电池寿命。 主要特性包括: - 1.8 V至5.5 V工作电压范围 - 30 mΩ N沟道MOSFET - 直流电流高达3 A - 峰值电流高达5 A - 内置2毫秒软启动 - 反向电压保护 - 高电平有效, 带集成桥接 - 符合IEC61000-4-2(等级4)8.0 kV(接触放电)15 kV(空气放电) - ESD等级:机器模型=200 V, 人体模型=4000 V - UDFN4 1.2x1.6 mm封装 - NCV前缀适用于汽车及其他需要独特现场和控制变更要求的应用; 符合AEC-Q100标准, 并具备PPAP能力 - 无铅设备 典型应用包括: - 手机 - 平板电脑 - 数码相机 - GPS - 计算机
NCV330MUTBG特性
暂无产品特性。
NCV330MUTBG应用领域
- 手机
- 平板电脑
- 数码相机
- GPS
- 计算机
