NCS20082DR2G
IC
SOIC-8
可供量大可议
NCS20082DR2G
NCS20081/2/4 系列包含单路、双路和四路运算放大器 (Op Amps), 增益带宽积 (GBWP) 为 1.2 MHz, 每个运算放大器的静态电流仅为 42 A。 NCS2008x 的输入失调电压为 4 mV, 工作电压为 1.8 V 至 5.5 V, 工作温度范围宽(−40°C 至 +125°C)。 轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围, 同时充分利用 1.2 MHz 的 GBWP。 因此, 该系列的性能优于许多行业标准器件。 这些器件符合 AEC-Q100 标准, 并以 NCV 为前缀。 NCS2008x 的低电流消耗和低电源电压性能采用节省空间的封装, 使其成为汽车、消费电子和工业市场中传感器信号调理和低压电流传感应用的理想选择。
品牌
onsemi
封装
SOIC-8
库存
99
货期
现货
NCS20082DR2G参数
| 封装 | SOIC-8 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 运算放大器 |
|---|---|
| 库存 | 99 |
NCS20082DR2G概述
NCS20081/2/4 系列包含单路、双路和四路运算放大器 (Op Amps), 增益带宽积 (GBWP) 为 1.2 MHz, 每个运算放大器的静态电流仅为 42 A。 NCS2008x 的输入失调电压为 4 mV, 工作电压为 1.8 V 至 5.5 V, 工作温度范围宽(−40°C 至 +125°C)。 轨到轨输入/输出操作允许使用整个电源电压范围, 同时充分利用 1.2 MHz 的 GBWP。 因此, 该系列的性能优于许多行业标准器件。 这些器件符合 AEC-Q100 标准, 并以 NCV 为前缀。 NCS2008x 的低电流消耗和低电源电压性能采用节省空间的封装, 使其成为汽车、消费电子和工业市场中传感器信号调理和低压电流传感应用的理想选择。
NCS20082DR2G特性
暂无产品特性。
NCS20082DR2G应用领域
暂无应用领域。
