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NCP51403MNTXG
IC

TDFN-10-EP(3x3)

可供量大可议

NCP51403MNTXG

NCP51403是一款源/灌双数据速率(DDR)端接稳压器, 专为低输入电压和低噪声系统而设计, 尤其适用于对空间要求较高的场景。 NCP51403可保持快速瞬态响应, 仅需最小20 μF的输出电容。 它支持远程感应功能, 能满足DDR VTT总线端接的所有电源需求。 NCP51403还可用于需要动态调节输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51403采用散热高效的DFN10外露焊盘封装, 符合环保和无铅标准。 NCP51403是一款灌/源跟踪端接稳压器, 专为低输入电压和低外部元件数量的系统而设计, 其中空间是关键应用参数。 NCP51403集成了高性能、低压差(LDO)线性稳压器, 能够进行源电流和灌电流操作。 LDO稳压器采用快速反馈环路, 因此可使用小型陶瓷电容来支持快速负载瞬态响应。 为了在最小化走线电阻影响的情况下实现精确调节, 应将远程感应端子VTTS作为与VTT高电流路径分开的走线连接到输出电容的正极端子。 输出电压VTT被调节至VRO。 当VRI配置用于标准DDR端接应用时, 可通过连接到内存电源总线(VDDQ)的外部等效比例分压器来设置VRI。 NCP51403支持0.5 V至1.8 V的VRI电压, 使其具有通用性, 非常适合多种类型的低功耗LDO应用。 当配置用于DDR端接应用时, VRO为内存应用生成DDR VTT参考电压。 它能够支持10 mA的源负载和灌负载。 当VRI电压升至435 mV且VCC高于欠压锁定(UVLO)阈值时, ΔVRO激活。 当VRO低于360 mV时, 它将被禁用, 并通过内部10 kΩ MOSFET放电至地。 ΔVRO与EN引脚状态无关。 当EN引脚置高时, NCP51403的VTT稳压器开始正常工作。 当EN引脚置低时, VTT通过内部18 Ω MOSFET放电至地。 当EN引脚置低时, VREF保持开启状态。

品牌

onsemi

封装

TDFN-10-EP(3x3)

库存

3

货期

现货

NCP51403MNTXG参数

封装TDFN-10-EP(3x3)
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类线性稳压器(LDO)
库存3

NCP51403MNTXG概述

NCP51403是一款源/灌双数据速率(DDR)端接稳压器, 专为低输入电压和低噪声系统而设计, 尤其适用于对空间要求较高的场景。 NCP51403可保持快速瞬态响应, 仅需最小20 μF的输出电容。 它支持远程感应功能, 能满足DDR VTT总线端接的所有电源需求。 NCP51403还可用于需要动态调节输出电压的低功耗芯片组和图形处理器内核。 NCP51403采用散热高效的DFN10外露焊盘封装, 符合环保和无铅标准。 NCP51403是一款灌/源跟踪端接稳压器, 专为低输入电压和低外部元件数量的系统而设计, 其中空间是关键应用参数。 NCP51403集成了高性能、低压差(LDO)线性稳压器, 能够进行源电流和灌电流操作。 LDO稳压器采用快速反馈环路, 因此可使用小型陶瓷电容来支持快速负载瞬态响应。 为了在最小化走线电阻影响的情况下实现精确调节, 应将远程感应端子VTTS作为与VTT高电流路径分开的走线连接到输出电容的正极端子。 输出电压VTT被调节至VRO。 当VRI配置用于标准DDR端接应用时, 可通过连接到内存电源总线(VDDQ)的外部等效比例分压器来设置VRI。 NCP51403支持0.5 V至1.8 V的VRI电压, 使其具有通用性, 非常适合多种类型的低功耗LDO应用。 当配置用于DDR端接应用时, VRO为内存应用生成DDR VTT参考电压。 它能够支持10 mA的源负载和灌负载。 当VRI电压升至435 mV且VCC高于欠压锁定(UVLO)阈值时, ΔVRO激活。 当VRO低于360 mV时, 它将被禁用, 并通过内部10 kΩ MOSFET放电至地。 ΔVRO与EN引脚状态无关。 当EN引脚置高时, NCP51403的VTT稳压器开始正常工作。 当EN引脚置低时, VTT通过内部18 Ω MOSFET放电至地。 当EN引脚置低时, VREF保持开启状态。

NCP51403MNTXG特性

暂无产品特性。

NCP51403MNTXG应用领域

暂无应用领域。

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