NCP361MUTBG
IC
UDFN-6-EP(2x2)
可供量大可议
NCP361MUTBG
当在输入端检测到错误的VBUS工作条件时, 该控制器会断开其输出端的系统。 系统可实现高达 +20V 的正向过压保护。 由于集成了 PMOS FET, 无需外部设备, 降低了系统成本和应用板的 PCB 面积。 如果输入电压超过过压阈值 (5.675V), 该控制器能够立即将输出与输入断开。 由于具备过流保护功能, 当充电电流超过电流限制时, 集成的 PMOS 会关闭。 该控制器提供一个负向标志 (FLAG) 输出, 用于提醒系统发生了电压、电流或过热故障。 此外, 当与 1μF 或更大的电容器旁路时, 该器件的输入具有 15kV 空气 ESD 保护。
品牌
onsemi
封装
UDFN-6-EP(2x2)
库存
197
货期
现货
NCP361MUTBG参数
| 封装 | UDFN-6-EP(2x2) |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 专业电源管理(PMIC) |
|---|---|
| 库存 | 197 |
NCP361MUTBG概述
当在输入端检测到错误的VBUS工作条件时, 该控制器会断开其输出端的系统。 系统可实现高达 +20V 的正向过压保护。 由于集成了 PMOS FET, 无需外部设备, 降低了系统成本和应用板的 PCB 面积。 如果输入电压超过过压阈值 (5.675V), 该控制器能够立即将输出与输入断开。 由于具备过流保护功能, 当充电电流超过电流限制时, 集成的 PMOS 会关闭。 该控制器提供一个负向标志 (FLAG) 输出, 用于提醒系统发生了电压、电流或过热故障。 此外, 当与 1μF 或更大的电容器旁路时, 该器件的输入具有 15kV 空气 ESD 保护。
NCP361MUTBG特性
暂无产品特性。
NCP361MUTBG应用领域
暂无应用领域。
