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NCP349MNBKTBG
IC

DFN-6-EP(1.6x2)

可供量大可议

NCP349MNBKTBG

当检测到输入工作条件异常时, NCP349能够将系统与输出引脚断开。 该系统具备正向过压保护功能, 可承受高达 +28 V 的电压。 该器件采用内部NMOS, 因此无需外部器件, 从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。 若输入电压超过过压阈值(OVLO)或低于欠压阈值(UVLO), 由于集成了低导通电阻(RON)功率NMOS(65 mΩ), NCP349能够立即将输出与输入断开。 上电时(EN引脚 = 低电平), 当Vin超过欠压阈值后, Vout将在ton时间后开启。 NCP349提供一个负向标志(FLAG)输出, 用于向系统发出故障警报。 此外, 当使用1.0 μF或更大电容旁路时, 该器件的输入具备ESD保护(空气放电15 kV)。

品牌

onsemi

封装

DFN-6-EP(1.6x2)

库存

2,860

货期

现货

NCP349MNBKTBG参数

封装DFN-6-EP(1.6x2)
品牌onsemi(安森美)
MOQ / SPQ1 / 1
分类电荷泵
库存2860

NCP349MNBKTBG概述

当检测到输入工作条件异常时, NCP349能够将系统与输出引脚断开。 该系统具备正向过压保护功能, 可承受高达 +28 V 的电压。 该器件采用内部NMOS, 因此无需外部器件, 从而降低了系统成本和应用板的PCB面积。 若输入电压超过过压阈值(OVLO)或低于欠压阈值(UVLO), 由于集成了低导通电阻(RON)功率NMOS(65 mΩ), NCP349能够立即将输出与输入断开。 上电时(EN引脚 = 低电平), 当Vin超过欠压阈值后, Vout将在ton时间后开启。 NCP349提供一个负向标志(FLAG)输出, 用于向系统发出故障警报。 此外, 当使用1.0 μF或更大电容旁路时, 该器件的输入具备ESD保护(空气放电15 kV)。

NCP349MNBKTBG特性

暂无产品特性。

NCP349MNBKTBG应用领域

暂无应用领域。

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