NCP1365ACBAXDR2G
自营可供
IC
SOIC-7
NCP1365ACBAXDR2G
NCP1365 提供了一个新型方案， 通用电源反激应用中比 20 W 略高几瓦的输出功率等级。 由于采用一种新方法， 此新控制器不再需要辅助反馈电路（通常为光耦合器和 TL431 参比）， 同时可以实现卓越的线路和负载调节。 NCP1365 在高负载时以谷锁闭准谐振峰值电流控制模式运行， 以提供高能效。 当辅助侧功率开始消失时， 该控制器将自动调节占空比， 然后在更低负载下， 该控制器通过谷开关勘测， 以固定峰值电流进入脉冲频率调制。 这种技术允许在微小的虚拟负载下保持输出调节。 前 4 个谷中的谷锁闭可防止谷跳跃运行， 然后在更低负载下的固开关可提供高能效。
品牌
onsemi
封装
SOIC-7
交期
现货
批次
—
NCP1365ACBAXDR2G参数
| 封装 | SOIC-7 |
|---|---|
| 品牌 | onsemi(安森美) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 工作电压 | 6.5V~28V |
| 晶体管耐压 | 560V |
| 功能特性 | 恒压模式(CV)； 欠压保护(UVP)； 过热保护(OTP)； 恒流模式(CC)； 短路保护(SCP)； 过压保护(OVP)； 过流保护(OCP)； 软启动 |
| 工作模式 | QR |
| 商品名称 | 6.5V~28V |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | AC-DC控制器和稳压器 |
| 分类 | AC-DC控制器和稳压器 |
|---|---|
| 库存 | 100 |
| 是否隔离 | 隔离 |
| 开关频率 | 103kHz~117kHz； 75kHz~85kHz |
| 拓扑结构 | 反激式 |
| 工作温度 | -40℃~+125℃ |
| 反馈方式 | 原边反馈 |
| 商品型号 | NCP1365ACBAXDR2G |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000157 |
NCP1365ACBAXDR2G概述
NCP1360/65为通用市电反激式应用提供了一种新的解决方案， 适用于几瓦至20 W的输出功率水平。 借助一种新方法， 这款新型控制器在实现出色的线性和负载调节的同时， 省去了次级反馈电路（光耦合器和TL431基准源）。 NCP1360/65在标称负载下以谷底锁定准谐振峰值电流模式控制模式运行， 以实现高效率。 当次级侧功率开始降低时， 开关频率自然升高， 直到压控振荡器（VCO）起主导作用， 使MOSFET在漏源电压谷底导通。 通过逐步进入后续谷底， 频率会降低， 直至达到第4个谷底。 超过这一点后， 在谷底开关模式下， 频率会线性降低， 直至达到最小值。 这种技术可在极小的假负载情况下保持输出稳压。 前四个漏源谷底期间的谷底锁定可防止出现不稳定的离散跳变， 并在轻载情况下实现良好的效率。
NCP1365ACBAXDR2G特性
- 初级侧反馈省去光耦合器和TL431基准源
- ±5%电压调节精度
- ±10%电流调节精度
- 560 V启动电流源
- 无频率钳位， 提供80或110 kHz最大开关频率选项
- 具有谷底开关操作的准谐振运行
- 固定峰值电流和轻载运行时的深度频率折返
- 外部恒压反馈调节
- 逐周期峰值电流限制
- 内置软启动
- 输出过压和欠压保护
- 电缆压降补偿（无补偿、150 mV、300 mV或450 mV可选）
- 宽VCC工作范围（最高28 V）
- NCP1360的低启动电流（典型值2.5 μA）
- 用于MOSFET的钳位栅极驱动输出
- CS和Vs/ZCD引脚短路和开路保护
- 内部温度关断
- NCP1365版本在高压输入时空载功耗低于10 mW
- NCP1360版本在高压输入时空载功耗低于30 mW
- 这些器件为无铅器件
NCP1365ACBAXDR2G应用领域
- 用于充电器的低功率AC-DC适配器
- 用于手机、平板电脑和相机的AC-DC USB充电器