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NCEP60T15G
IC

DFN5X6-8L

可供量大可议

NCEP60T15G

使用超级沟槽技术, 该技术经过独特优化, 可提供最高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合, 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流。

品牌

NCE

封装

DFN5X6-8L

库存

3,325

货期

现货

NCEP60T15G参数

封装DFN5X6-8L
品牌NCE(无锡新洁能)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存3325

NCEP60T15G概述

使用超级沟槽技术, 该技术经过独特优化, 可提供最高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻RDS(ON)和栅极电荷Qg的组合, 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流。

NCEP60T15G特性

暂无产品特性。

NCEP60T15G应用领域

暂无应用领域。

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