NCEP095N10AG
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
NCEP095N10AG
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 组合， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流
品牌
NCE
封装
DFN5X6-8L
库存
4,841
货期
现货
NCEP095N10AG参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4841 |
NCEP095N10AG概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 组合， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流
NCEP095N10AG特性
暂无产品特性。
NCEP095N10AG应用领域
暂无应用领域。