NCEP080N10
IC
TO-220
可供量大可议
NCEP080N10
该系列器件采用超级沟槽 II 技术， 该技术经过独特优化， 可提供高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(ON)和栅极电荷 Qg 的组合， 导通和开关功率损耗降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流。
品牌
NCE
封装
TO-220
库存
234
货期
现货
NCEP080N10参数
| 封装 | TO-220 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 234 |
NCEP080N10概述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术， 该技术经过独特优化， 可提供高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(ON)和栅极电荷 Qg 的组合， 导通和开关功率损耗降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流。
NCEP080N10特性
暂无产品特性。
NCEP080N10应用领域
暂无应用领域。