NCEP033N85D
IC
TO-263
可供量大可议
NCEP033N85D
该系列器件采用超级沟槽 II 技术， 经过独特优化， 可提供高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 QG 的组合， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流。
品牌
NCE
封装
TO-263
库存
2
货期
现货
NCEP033N85D参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 2 |
NCEP033N85D概述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术， 经过独特优化， 可提供高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 QG 的组合， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流。
NCEP033N85D特性
暂无产品特性。
NCEP033N85D应用领域
暂无应用领域。