NCEP026N10D
IC
TO-263
可供量大可议
NCEP026N10D
该系列器件采用超级沟槽 II 技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 的组合， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件适用于高频开关和同步整流。
品牌
NCE
封装
TO-263
库存
22
货期
现货
NCEP026N10D参数
| 封装 | TO-263 |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 22 |
NCEP026N10D概述
该系列器件采用超级沟槽 II 技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(on) 和栅极电荷 Qg 的组合， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件适用于高频开关和同步整流。
NCEP026N10D特性
暂无产品特性。
NCEP026N10D应用领域
暂无应用领域。