NCEP02580D
IC
TO-263-2L
可供量大可议
NCEP02580D
NCEP02580D采用超级沟槽技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于RDS(ON)和Q₉极低， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流
品牌
NCE
封装
TO-263-2L
库存
94
货期
现货
NCEP02580D参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 94 |
NCEP02580D概述
NCEP02580D采用超级沟槽技术， 该技术经过独特优化， 可提供最高效的高频开关性能。 由于RDS(ON)和Q₉极低， 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流
NCEP02580D特性
暂无产品特性。
NCEP02580D应用领域
暂无应用领域。