NCEP016N85LL
IC
TOLL
可供量大可议
NCEP016N85LL
该系列器件采用超级沟槽 II 技术， 经过独特优化， 可提供高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 的组合， 传导和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适合高频开关和同步整流。
品牌
NCE
封装
TOLL
库存
1,858
货期
现货
NCEP016N85LL参数
| 封装 | TOLL |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 85V |
| 耗散功率(Pd) | 460W |
| 栅极电荷量(Qg) | 245nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 111pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCEP016N85LL |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001028 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1858 |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.6mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 输入电容(Ciss) | 15.8nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 2.45nF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:85V 电流:360A |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCEP016N85LL概述
该系列器件采用了超级沟槽 II 技术, 该技术经过独特优化, 可提供最高效的高频开关性能。 由于极低的导通电阻 RDS(ON) 和栅极电荷 Qg 组合, 导通和开关功率损耗均降至最低。 该器件非常适用于高频开关和同步整流。
NCEP016N85LL特性
- 漏源电压 VDS = 85V, 漏极电流 ID = 360A
- 典型导通电阻 RDS(ON) = 1.2 mΩ, @栅源电压 VGS = 10 V
- 出色的栅极电荷 × 导通电阻 RDS(ON) 乘积(品质因数 FOM)
- 极低的导通电阻 RDS(ON)
- 工作温度可达 175°C
- 无铅引脚镀层
- 100% 进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 100% 进行了 ΔVds 测试
NCEP016N85LL应用领域
- DC/DC 转换器-非常适合高频开关和同步整流