NCE9926
自营可供
IC
SOP-8_150mil
NCE9926
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 6A 2个N沟道
品牌
NCE
封装
SOP-8_150mil
交期
现货
批次
两年内
NCE9926参数
| 封装 | SOP-8_150mil |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 37mΩ@2.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 输入电容(Ciss) | 640pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 140pF |
| 商品名称 | 2个N沟道 耐压:20V 电流:9A |
| 封装 | SOP-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.001868 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 7,686 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 20V |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 80pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±10V |
| 商品型号 | NCE9926 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE9926概述
场效应管(MOSFET) 1.25W 20V 6A 2个N沟道
NCE9926特性
- VDS = 20V, ID = 6A
- 在VGS = 4.5V时, RDS(ON) < 28 mΩ
- 在VGS = 2.5V时, RDS(ON) < 37 mΩ
- 高密度单元设计, 实现超低Rdson
- 具备完整雪崩电压和电流特性
NCE9926应用领域
- 电源开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源