NCE82H110D
IC
TO-263-2L
可供量大可议
NCE82H110D
NCE82H110D采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于多种领域。
品牌
NCE
封装
TO-263-2L
库存
23
货期
现货
NCE82H110D参数
| 封装 | TO-263-2L |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 23 |
NCE82H110D概述
NCE82H110D采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻RDS(ON)。 它可应用于多种领域。
NCE82H110D特性
暂无产品特性。
NCE82H110D应用领域
暂无应用领域。