NCE80TD65BT
IC
TO-247
可供量大可议
NCE80TD65BT
使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术， 650V 沟槽 FS II IGBT 具有出色的导通和开关性能， 并且易于并联操作。
品牌
NCE
封装
TO-247
库存
744
货期
现货
NCE80TD65BT参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 两年内 |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 9.188nF |
| 反向传输电容(Cres) | 181pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 172ns |
| 关断损耗(Eoff) | 1.45mJ |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 744 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 390W |
| 集电极电流(Ic) | 160A |
| 栅极电荷量(Qg) | 331nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 258pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns |
| 导通损耗(Eon) | 1.43mJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 194ns |
NCE80TD65BT概述
使用专有沟槽设计和先进的 FS（场截止）第二代技术， 650V 沟槽 FS II IGBT 具有出色的导通和开关性能， 并且易于并联操作。
NCE80TD65BT特性
暂无产品特性。
NCE80TD65BT应用领域
暂无应用领域。