NCE6602N
IC
SOT-23-6
可供量大可议
NCE6602N
使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
品牌
NCE
封装
SOT-23-6
库存
30,640
货期
现货
NCE6602N参数
| 封装 | SOT-23-6 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V |
| 输入电容(Ciss) | 278pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 30,640 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 1.2W |
| 栅极电荷量(Qg) | 10nC@10V |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF |
| 类型 | N沟道+P沟道 |
NCE6602N概述
使用先进的沟槽技术， 提供出色的导通电阻和低栅极电荷。 该器件适用于电池保护或其他开关应用。
NCE6602N特性
暂无产品特性。
NCE6602N应用领域
暂无应用领域。