NCE60P12K
IC
TO-252-2L
可供量大可议
NCE60P12K
NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 该器件非常适合大电流负载应用。
品牌
NCE
封装
TO-252-2L
库存
18,660
货期
现货
NCE60P12K参数
| 封装 | TO-252-2L |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 18660 |
NCE60P12K概述
NCE60P12K采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下提供出色的导通电阻（RDS(ON)）。 该器件非常适合大电流负载应用。
NCE60P12K特性
暂无产品特性。
NCE60P12K应用领域
暂无应用领域。