NCE60ND18G
自营可供
IC
DFN5*6
NCE60ND18G
场效应管(MOSFET) NCE60ND18G DFN8_4.9X5.75MM_EP
品牌
NCE
封装
DFN5*6
交期
现货
批次
两年内
NCE60ND18G参数
| 封装 | DFN5*6 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 两年内 |
| 数量 | 2个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 40mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 973pF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 4,995 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC |
| 反向传输电容(Crss) | 58.8pF |
| 类型 | N沟道 |
NCE60ND18G概述
场效应管(MOSFET) NCE60ND18G DFN8_4.9X5.75MM_EP