NCE60ND18G
IC
DFN5X6-8L
可供量大可议
NCE60ND18G
NCE60ND18G采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。
品牌
NCE
封装
DFN5X6-8L
库存
1,970
货期
现货
NCE60ND18G参数
| 封装 | DFN5X6-8L |
|---|---|
| 品牌 | NCE(无锡新洁能) |
| MOQ / SPQ | 1 / 5 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1970 |
NCE60ND18G概述
NCE60ND18G采用先进的沟槽技术和设计， 可在低栅极电荷的情况下实现出色的导通电阻（RDS(ON)）。 它可用于多种应用场景。
NCE60ND18G特性
暂无产品特性。
NCE60ND18G应用领域
暂无应用领域。