NCE6050KA
自营可供
IC
TO-252-2(DPAK)
NCE6050KA
场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道
品牌
NCE
封装
TO-252-2(DPAK)
交期
现货
批次
26+
NCE6050KA参数
| 封装 | TO-252-2(DPAK) |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 20mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 输入电容(Ciss) | 2.05nF |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
| 输出电容(Coss) | 158pF |
| 商品名称 | 1个N沟道 耐压:60V 电流:50A |
| 封装 | TO-252-2L |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.000547 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 55,766 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 85W |
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@30V |
| 反向传输电容(Crss) | 120pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE6050KA |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE6050KA概述
场效应管(MOSFET) 85W 60V 50A 1个N沟道
NCE6050KA特性
- 漏源电压VDS = 60V, 漏极电流ID = 50A
- 当栅源电压VGS = 10V时, 导通电阻RDS(ON) < 20 mΩ
- 高密度单元设计, 实现超低导通电阻Rdson
- 雪崩电压和电流特性完全表征
- 高单脉冲雪崩能量耐量, 稳定性和一致性良好
- 采用散热性能良好的封装
- 特殊工艺技术, 具备高静电防护能力
NCE6050KA应用领域
- 功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源