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NCE6003M
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IC

SOT-89

NCE6003M

场效应管(MOSFET) NCE6003M SOT-89-3

品牌

NCE

封装

SOT-89

交期

现货

批次

两年内

NCE6003M参数

封装SOT-89
品牌NCE(新洁能)
批次两年内
类型1个N沟道
导通电阻(RDS(on))120mΩ@4.5V, 3A
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
输入电容(Ciss@Vds)510pF@30V
工作温度-55℃~+150℃
分类场效应管(MOSFET)
库存4,325
MOQ / SPQ1 / 1
漏源电压(Vdss)60V
耗散功率(Pd)1.7W
栅极电荷量(Qg)7.5nC@30V
反向传输电容(Crss)26pF

NCE6003M概述

场效应管(MOSFET) NCE6003M SOT-89-3

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