NCE55P05S-VB
IC
SO-8
可供量大可议
NCE55P05S-VB
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET器件， 采用Trench工艺制造， 适用于各种电子设备和系统中。 SOP8； P—Channel沟道, -60V； -8A； RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
品牌
VBsemi
封装
SO-8
库存
1
货期
现货
NCE55P05S-VB参数
| 封装 | SO-8 |
|---|---|
| 品牌 | VBsemi(微碧半导体) |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 1 |
NCE55P05S-VB概述
台积电流片， 长电科技封装； 是一款单P型MOSFET器件， 采用Trench工艺制造， 适用于各种电子设备和系统中。 SOP8； P—Channel沟道, -60V； -8A； RDS(ON)=60mΩ@VGS=10V, VGS=20V； Vth=-1~-2.5V
NCE55P05S-VB特性
暂无产品特性。
NCE55P05S-VB应用领域
暂无应用领域。