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NCE50TD120VT
IC

TO-247

可供量大可议

NCE50TD120VT

品牌

NCE

封装

TO-247

库存

1

货期

现货

NCE50TD120VT参数

封装TO-247
品牌NCE(新洁能)
批次26+
IGBT类型FS(场截止)
集电极电流(Ic)100A
输出电容(Coes)220pF
集射极饱和电压(VCE(sat))1.95V@50A, 15V
栅极电荷量(Qg)370nC@15V
开启延迟时间(Td(on))19ns
导通损耗(Eon)2.6mJ
反向恢复时间(Trr)150ns
反向传输电容(Cres)167pF
分类IGBT管/模块
库存1
MOQ / SPQ1 / 1
集射极击穿电压(Vces)1.2kV
耗散功率(Pd)535W
正向脉冲电流(Ifm)200A
栅极阈值电压(Vge(th))4.5V@1mA
输入电容(Cies)6.98nF
关断延迟时间(Td(off))170ns
关断损耗(Eoff)1.7mJ
工作温度-55℃~+175℃

NCE50TD120VT概述

暂无产品概述。

NCE50TD120VT特性

暂无产品特性。

NCE50TD120VT应用领域

暂无应用领域。

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