NCE4953
自营可供
IC
SOIC-8_150mil
NCE4953
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 5.1A 2个P沟道
品牌
NCE
封装
SOIC-8_150mil
交期
现货
批次
26+
NCE4953参数
| 封装 | SOIC-8_150mil |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 2个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 55mΩ@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 520pF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 130pF |
| 商品名称 | 2个P沟道 耐压:30V 电流:5.1A |
| 封装 | SOP-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.0002 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 9,357 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 栅极电荷量(Qg) | 11nC |
| 反向传输电容(Crss) | 70pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE4953 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE4953概述
场效应管(MOSFET) 2.5W 30V 5.1A 2个P沟道
NCE4953特性
- VDS = -30V, ID = -5.1A
- RDS(ON) < 90 m Ω(@ VGS = -4.5 V)
- RDS(ON) < 55 m Ω(@ VGS = -10 V)
- 高功率和电流处理能力
- 符合无铅产品要求
- 表面贴装封装
NCE4953应用领域
- PWM应用
- 负载开关
- 电源管理