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NCE4614-VB
IC

SOIC-8

可供量大可议

NCE4614-VB

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N+P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于电源管理模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。 SOP8; N+P—Channel沟道, ±40V; 9/-8A; RDS(ON)=15/17mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V

品牌

VBsemi

封装

SOIC-8

库存

10

货期

现货

NCE4614-VB参数

封装SOIC-8
品牌VBsemi(微碧半导体)
MOQ / SPQ1 / 1
分类场效应管(MOSFET)
库存10

NCE4614-VB概述

台积电流片, 长电科技封装; 是一款双N+P沟道场效应晶体管, 采用Trench工艺, 适用于电源管理模块、汽车电子模块、工业控制模块等领域。 SOP8; N+P—Channel沟道, ±40V; 9/-8A; RDS(ON)=15/17mΩ@VGS=10V, VGS=20V; Vth=1/-0.9~2.2/-2.5V

NCE4614-VB特性

暂无产品特性。

NCE4614-VB应用领域

暂无应用领域。

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