NCE4435
自营可供
IC
SOP-8_150mil
NCE4435
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 9.1A 1个P沟道
品牌
NCE
封装
SOP-8_150mil
交期
现货
批次
26+
NCE4435参数
| 封装 | SOP-8_150mil |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 26+ |
| 数量 | 1个P沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@4.5V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
| 输出电容(Coss) | 350pF |
| 商品名称 | 1个P沟道 耐压:30V 电流:9.1A |
| 封装 | SOP-8 |
| 单位 | 个 |
| 商品重量 | 0.00026 |
| 分类 | 场效应管(MOSFET) |
|---|---|
| 库存 | 56,877 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 30V |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC |
| 反向传输电容(Crss) | 300pF |
| 类型 | P沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| 商品型号 | NCE4435 |
| 包装方式 | 编带 |
| 商品类型 | 场效应管(MOSFET) |
NCE4435概述
场效应管(MOSFET) 3.1W 30V 9.1A 1个P沟道
NCE4435特性
- VDS = -30V, ID = -9.1A
- 在VGS = -4.5V时, RDS(ON) < 35 mΩ
- 在VGS = -10V时, RDS(ON) < 20 mΩ
- 具备高功率和大电流处理能力
- 产品无铅
- 表面贴装封装
NCE4435应用领域
- 电池开关-负载开关-电源管理