NCE40TD65BT
IC
TO-247
可供量大可议
NCE40TD65BT
采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术， 650V沟槽场截止II代（Trench FS II）绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能， 且易于并联运行。
品牌
NCE
封装
TO-247
库存
4
货期
现货
NCE40TD65BT参数
| 封装 | TO-247 |
|---|---|
| 品牌 | NCE（新洁能） |
| 批次 | 待确认 |
| IGBT类型 | FS(场截止) |
| 集射极击穿电压(Vces) | 650V |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 1.9V@40A, 15V |
| 栅极电荷量(Qg) | 176nC@15V |
| 输出电容(Coes) | 136pF |
| 开启延迟时间(Td(on)) | 19ns |
| 导通损耗(Eon) | 580uJ |
| 反向恢复时间(Trr) | 242ns |
| 分类 | IGBT管/模块 |
|---|---|
| 库存 | 4 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 耗散功率(Pd) | 286W |
| 集电极电流(Ic) | 80A |
| 栅极阈值电压(Vge(th)) | 4V@1mA |
| 输入电容(Cies) | 4.894nF |
| 反向传输电容(Cres) | 94pF |
| 关断延迟时间(Td(off)) | 168ns |
| 关断损耗(Eoff) | 480uJ |
NCE40TD65BT概述
采用新洁能（NCE）专有的沟槽设计和先进的第二代场截止（FS）技术， 650V沟槽场截止II代（Trench FS II）绝缘栅双极晶体管（IGBT）具备卓越的导通和开关性能， 且易于并联运行。
NCE40TD65BT特性
暂无产品特性。
NCE40TD65BT应用领域
暂无应用领域。